[20a-S221-1~12] 13.3 Insulator technology

[20a-S221-9] Improvement of C-V Characteristics in La_2xA_2(1-x)O₃(A=Lu, Y)/La₂O₃/Ge(111) MIS Structures

〇Takeshi Kanashima¹, Masato Zenitaka¹, Keisuke Yamamoto², Riku Yamashiro¹, Jumpei Tadano³, Hiroshi Nohira³, Hiroshi Nakashima², Shinya Yamada¹, Kohei Hamaya¹ (1.Osaka Univ., 2.Kyushu Univ., 3.Tokyo City Univ.)

Keywords:Ge,Gate insulator,high-k

我々は，Ge(111)に原子マッチングするLa₂O₃結晶をGe基板上に直接成長させることで，GeO₂層のない良好な界面の形成を報告している．しかし，作製されたMIS構造のC-Vカーブに反時計回りのヒステリシスが見られ，界面付近にトラップが残留していることが示された．今回，La_2xA_2(1-x)O₃(A=Lu, Y)/La₂O₃/Ge(111)積層構造とすることで，大幅なC-Vヒステリシスの改善がみられたので報告する．