[20a-S221-1~12] 13.3 Insulator technology

[20a-S221-10] Hole mobility enhancement in Ge p-MOSFET due to introduction of Al into gate stack

〇Yuta Nagatomi¹, Shintaro Tanaka¹, Tomoki Tateyama¹, Keisuke Yamamoto², Dong Wang¹, Hiroshi Nakashima² (1.I-EggS, Kyushu Univ., 2.KASTEC, Kyushu Univ.)

Keywords:Ge MOSFET,hole mobility,fixed oxide charge

我々は，絶縁膜/Ge界面の高品質化についてAl堆積後熱処理(Al-PMA)効果を報告している．これは，界面欠陥を低減してp-MOSFETの正孔移動度を向上させる手法である．しかし，その移動度向上の機構については未だ解明されていない．今回，我々はその機構について，PMA温度と界面準位密度との関係，PMAによる界面の構造変化，およびPMA温度とp-MOSFETのチャネル移動度との関係，を詳細に調査した．