[20a-S224-1~9] 7.3 Micro/Nano patterning and fabrication

△ [20a-S224-7] Dependence of exposure characteristics of polymer type electron beam resists on molecular weight

〇Tomohiro Takayama¹, Yukiko Kishimura¹, Hironori Asada¹, Ryoichi Hoshino², Atsushi Kawata² (1.Yamaguchi Univ., 2.LLC Gluon Lab)

Keywords:electron beam lithography,polymer resist,exposure characteristics

次世代フォトマスクの作成に必要な高解像電子線レジストとして、化学増幅型レジストや分子レジストだけでなく、非化学増幅型レジストにも期待が集まっている。このレジストを特徴づけるものとして、分子構造と分子量がある。本研究では、分子量が60,000から500,000のポジ型アクリル・スチレン共重合ポリマーを合成し、今回、酢酸アミル現像液に対する露光特性を評価することで分子量依存性について検討した。