The 63rd JSAP Spring Meeting, 2016

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Oral presentation

7 Beam Technology and Nanofabrication » 7.3 Micro/Nano patterning and fabrication

[20a-S224-1~9] 7.3 Micro/Nano patterning and fabrication

Sun. Mar 20, 2016 9:30 AM - 12:00 PM S224 (S2)

Toshiyuki Horiuchi(Tokyo Denki Univ.), Satoshi Tanaka(EIDEC)

11:30 AM - 11:45 AM

[20a-S224-8] Exposure Characteristics of New Modacrylic Electron Beam Polymer Resist (Ⅱ)

Shunsuke Ochiai1, Tomohiro Takayama1, Yukiko Kishimura1, Hironori Asada1, Masashi Kunitake2, Ryoichi Hoshino3, Atushi Kawata3 (1.Yamaguchi Univ., 2.Kumamoto Univ., 3.LLC Gluon Lab.)

Keywords:resist

我々は、レジストにおける高分子の化学構造組成のデザインの役割を探ることを目的として、αクロロアクリル酸メチル(ACM)とメタクリル酸ベンジル(BzMA)を共重合したレジストを評価している。前回、ACMとBzMAの組成比50 : 50 (分子量 : 42,000 )のポリマー(レジストA)を合成し評価したところ、従来組成のαクロロアクリル酸メチルとαメチルスチレンの共重合体と比べ、エステル系現像液に対しての溶解性が高いことを報告した。しかしながら、酢酸アミルを現像液としたパターン形成においてはスカムの発生により良好なパターン形状が得られなかった。そこで今回は、組成比を変えたポリマーを合成し、露光特性の評価を行った。