[20a-S224-1~9] 7.3 微細パターン・微細構造形成技術

△ [20a-S224-7] 非化学増幅型電子線レジストにおける露光特性の分子量依存性

〇高山 智寛¹、岸村 由紀子¹、浅田 裕法¹、星野 亮一²、河田 敦² (1.山口大院理工、2.グルーオンラボ)

キーワード：電子線リソグラフィ、ポリマーレジスト、露光特性

次世代フォトマスクの作成に必要な高解像電子線レジストとして、化学増幅型レジストや分子レジストだけでなく、非化学増幅型レジストにも期待が集まっている。このレジストを特徴づけるものとして、分子構造と分子量がある。本研究では、分子量が60,000から500,000のポジ型アクリル・スチレン共重合ポリマーを合成し、今回、酢酸アミル現像液に対する露光特性を評価することで分子量依存性について検討した。