2016年第63回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[20a-S423-1~9] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2016年3月20日(日) 09:00 〜 12:15 S423 (南4号館)

佐々木 実(豊田工大)

10:00 〜 10:15

[20a-S423-5] 高効率静電型エレクトレットMEMS変圧器の設計

鈴木 雅人1、森山 喬史1、橋口 原1 (1.静岡大学)

キーワード:変圧器、MEMS、エレクトレット

これまでに3端子櫛歯構造のMEMSにカリウムを混入したSiO2エレクトレット膜を組み合わせ、静電型の変圧器を製作し入力電圧が昇圧することを確認した。
今回は、3端子櫛歯構造の動作行列表現から昇圧率、効率などの式を導出し、高効率で変圧可能なデバイスの設計を行った。その結果、共振周波数においてほぼ100%の変圧が可能であるという結果を得た。また、実際にデバイスを製作しその評価結果についても講演する予定。