[20p-H101-1~21] 15.6 IV族系化合物（SiC）

△ [20p-H101-11] 広温度範囲にわたる4H-SiC熱酸化反応の面方位依存性の検証

〇(M2)永井 大介¹、染谷 満^1,2、細井 卓治¹、志村 考功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工、2.富士電機)

キーワード：SiC、MOSキャパシタ、熱酸化

SiCパワーMOSFETの大きな課題として、熱酸化SiO₂/SiC界面の高密度の界面欠陥に起因する移動度及び信頼性の劣化がある。界面特性改善のためには熱酸化メカニズムについての理解を深めることが重要である。我々は、4H-SiC基板Si面に対して1150°Cで24時間に及ぶ熱酸化を行い、少なくとも150 nmまでは酸化膜厚が酸化時間に比例する界面反応律速段階にあることを明らかにすると共に、超高温急速加熱炉を用いて1600°Cでも界面反応律速で熱酸化膜形成が進行することを報告してきた。一方、4H-SiC基板C面はSi面よりも酸化速度が速いことから、超高温域で熱酸化した報告例はほとんどない。今回、SiC熱酸化における界面反応に注目し、幅広い温度でSi面及びC面上の酸化速度を詳細に検証したので報告する。