[20p-H113-1~13] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[20p-H113-12] 非弾性X線散乱法によるScNエピタキシャル膜のフォノン分散と寿命

〇内山 裕士¹、大島 祐一²、Villora Garcia²、島村 清史² (1.JASRI/SPring8、2.物材機構)

キーワード：フォノン分散、ScN

ScNエピタキシャル薄膜のフォノン分散およびフォノン寿命を非弾性x線散乱法により測定した．実験的に得られた[100]および[110]方向のフォノン分散は第一原理計算結果とよく合致することがわかった．また，[100]方向の光学フォノンの線幅からフォノン寿命を算出した．こちらも計算とよく合致している．