[20p-H113-1~13] 15.8 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[20p-H113-3] 炭素クラスターイオン注入Siエピウェーハの特徴（３）
-酸素に対する捕獲効果-

〇奥田 秀彦¹、廣瀬 諒¹、柾田 亜由美¹、門野 武¹、奥山 亮輔¹、古賀 祥泰¹、栗田 一成¹ (1.SUMCO)

キーワード：シリコンウェーハ、炭素クラスターイオン注入、酸素拡散

我々は,2015年春季応用物理学会において,クラスター注入ウェーハは炭素ドーズ量を高めることで炭素注入レンジに捕獲される酸素量が増大することからエピ層への酸素拡散を抑制できることを報告した.
拡散温度900℃までは炭素注入レンジで基板から拡散する酸素を100％捕獲することができ,1000℃においても50％の酸素を捕獲しエピ層への酸素拡散を抑制できることを明らかとした.
今回は,1000℃以上の高温の拡散熱処理を行った場合の酸素の拡散挙動について1000℃以下の拡散挙動と対比して報告する.