[20p-H121-1~24] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [20p-H121-1] THzエリプソメトリーによるGaN膜評価と断面観察による検証

〇達 紘平¹、浅上 史歩¹、藤井 高志^1,3、荒木 努¹、名西 憓之¹、長島 健²、岩本 敏志³、佐藤 幸徳³、森田 直威⁴、杉江 隆一⁴、上山 智⁵ (1.立命館大学、2.摂南大学、3.日邦プレシジョン、4.東レリサーチセンター、5.名城大学)

キーワード：THzエリプソメトリー、窒化ガリウム、電気特性

窒化物半導体デバイスのエピタキシャル薄膜の電気的特性の評価手法としてホール効果測定やCV測定がある。しかし、電極の作成の難しさのため、非破壊・非接触での電気特性評価が必要とされる。光学手法として、テラヘルツ時間領域分光エリプソメトリー(THz-TDSE)が提案されている。この手法を用いることで、電気的特性や膜厚が得られる。今回の講演ではサファイア上n-GaNに対して、断面観察も行うことで本手法の妥当性を検討する。