[20p-H121-1~24] 15.4 III-V-group nitride crystals

[20p-H121-2] Comparison of electrical properties for n-GaN on sapphire between THz ellipsometry and Hall effect measurement

〇(B)Shiho Asagami¹, Kohei Tachi¹, Takashi Fujii^1,3, Tsutomu Araki¹, Yasushi Nanishi¹, Takeshi Nagashima², Toshiyuki Iwamoto³, Yukinori Sato³, Naotake Morita⁴, Ryuichi Sugie⁴, Satoshi Kamiyama⁵ (1.Ritsumeikan Univ., 2.Setsunan Univ., 3.PNP, 4.TRC, 5.Meijo Univ.)

Keywords:semiconductor,THz,GaN

非破壊・非接触による評価の実現に有力なTHz-TDSEは、開発・製造の効率化や評価・検査コストの低減を期待できる。我々はSiC単結晶やエピ膜、 GaN単結晶については、この手法の有効性を示してきた。しかしTHz-TDSEとホール効果測定による評価結果は、GaN単結晶ではよい一致を示すが、GaN薄膜ではキャリア濃度と移動度に数倍程度の差がみられた。この差異について検討するために、より詳細なホール効果測定を行い、試料構造を考慮した解析を行った。