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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-H121-1~24] 15.4 III-V族窒化物結晶

2016年3月20日(日) 13:15 〜 19:45 H121 (本館)

荒木努(立命館大)、船戸充(京大)、尾沼猛儀(工学院大)

16:00 〜 16:15

[20p-H121-11] SiC基板上のGaNおよびAlN薄膜のエネルギー論：第一原理計算による検討

〇秋山亨¹、中根晴信¹、中村浩次¹、伊藤智徳¹ (1.三重大院工)

キーワード：第一原理計算

　　　