[20p-H121-1~24] 15.4 III-V-group nitride crystals

[20p-H121-16] Evaluation of surface diffusion lengths during InGaN growth by rf-MBE

〇Kohei Date¹, Hiroto Sekiguchi¹, Ai Yanagihara², Keisuke Yamane¹, Hiroshi Okada¹, Akihiro Wakahara¹, Katsumi Kishino² (1.Toyohashi Univ. of Tech., 2.Sophia Univ.)

Keywords:MBE,diffusion length,GaN

(0001)面GaNおよび(10-10)面GaN基板上にストライプ構造を作製し，RF-MBE法を用いてInGaN薄膜を成長させストライプ端におけるIn組成および膜厚分布を調べ、膜厚分布に対して1次元拡散方程式を用いた成長モデルを解析することで，InGaN成長時におけるGa拡散長およびIn拡散長を評価した．表面拡散モデルに基づいた指数関数フィッティングを行いGa拡散長およびIn拡散長を見積もったところ，(0001)面GaN上ではそれぞれ450nmおよび290nmであった．