17:15 〜 17:30
[20p-H121-16] RF-MBE法を用いたInGaN成長時における表面拡散長の評価
キーワード:分子線エピタキシー、拡散長、GaN
(0001)面GaNおよび(10-10)面GaN基板上にストライプ構造を作製し,RF-MBE法を用いてInGaN薄膜を成長させストライプ端におけるIn組成および膜厚分布を調べ、膜厚分布に対して1次元拡散方程式を用いた成長モデルを解析することで,InGaN成長時におけるGa拡散長およびIn拡散長を評価した.表面拡散モデルに基づいた指数関数フィッティングを行いGa拡散長およびIn拡散長を見積もったところ,(0001)面GaN上ではそれぞれ450nmおよび290nmであった.