[20p-H121-1~24] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-H121-16] RF-MBE法を用いたInGaN成長時における表面拡散長の評価

〇伊達 浩平¹、関口 寛人¹、柳原 藍²、山根 啓輔¹、岡田 浩¹、若原 昭浩¹、岸野 克巳² (1.豊技大工、2.上智大理工)

キーワード：分子線エピタキシー、拡散長、GaN

(0001)面GaNおよび(10-10)面GaN基板上にストライプ構造を作製し，RF-MBE法を用いてInGaN薄膜を成長させストライプ端におけるIn組成および膜厚分布を調べ、膜厚分布に対して1次元拡散方程式を用いた成長モデルを解析することで，InGaN成長時におけるGa拡散長およびIn拡散長を評価した．表面拡散モデルに基づいた指数関数フィッティングを行いGa拡散長およびIn拡散長を見積もったところ，(0001)面GaN上ではそれぞれ450nmおよび290nmであった．