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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-H121-1~24] 15.4 III-V族窒化物結晶

2016年3月20日(日) 13:15 〜 19:45 H121 (本館)

荒木努(立命館大)、船戸充(京大)、尾沼猛儀(工学院大)

18:15 〜 18:30

△ [20p-H121-19] Si基板上GaN系LEDの素子構造作製に伴う応力の変化

〇岡田葵¹、上杉謙次郎¹、木村重哉¹、坂野竜則¹、吉田学史¹、布上真也¹ (1.東芝研究開発センター)

キーワード：GaN、LED、応力

　　　