[20p-H121-1~24] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-H121-2] THzエリプソメトリーとホール効果測定によるサファイア基板上n型GaNの電気特性の比較検討

〇(B)浅上 史歩¹、達 紘平¹、藤井 高志^1,3、荒木 努¹、名西 憓之¹、長島 健²、岩本 敏志³、佐藤 幸徳³、森田 直威⁴、杉江 隆一⁴、上山 智⁵ (1.立命館大理工、2.摂南大理工、3.日邦プレシジョン、4.東レリサーチセンター、5.名城大理工)

キーワード：半導体、テラヘルツ、GaN

非破壊・非接触による評価の実現に有力なTHz-TDSEは、開発・製造の効率化や評価・検査コストの低減を期待できる。我々はSiC単結晶やエピ膜、 GaN単結晶については、この手法の有効性を示してきた。しかしTHz-TDSEとホール効果測定による評価結果は、GaN単結晶ではよい一致を示すが、GaN薄膜ではキャリア濃度と移動度に数倍程度の差がみられた。この差異について検討するために、より詳細なホール効果測定を行い、試料構造を考慮した解析を行った。