[20p-H121-1~24] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [20p-H121-21] Si₃N₄による高AlNモル分率n-AlGaN用V系電極の低接触比抵抗化

〇永田 訓章¹、森 一喜¹、武田 邦宏¹、草深 敏匤¹、岩谷 素顕¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、赤﨑 勇^1,2 (1.名城大・理工、2.名古屋大，赤﨑記念研究センター)

キーワード：n-AlGaN

これまでに本グループではV/Al/Ni/AuもしくはV/Al/Ti/Au電極を用いることによってAlNモル分率が0.6まで低接触比抵抗が10^-6 Ωcm²台の電極が実現可能であることを報告してきた。一方で、AlNモル分率を0.7まで増大させると、接触比抵抗が10^-3Ωcm²台まで増大してしまうという課題が残されてきた。本報告では、n型AlGaN層とV系電極の界面にSi₃N₄層を挿入することによってAlNモル分率0.7のAlGaNで10^-6Ωcm²台の低接触比抵抗が得られることが分かったので報告する。