[20p-H121-1~24] 15.4 III-V-group nitride crystals

[20p-H121-22] Improved properties in InGaN-based solar cells by surface passivation process

〇Tomoki Kabata¹, TsuTsumi Tatuya¹, Mori Takuma¹, Kato Masashi¹, Miyoshi Makoto¹, Egawa Takashi¹ (1.Nagoya Inst of Tech)

Keywords:GaN-based solar cell,Passivation,Al2O3

高効率の太陽電池としてGaN系太陽電池の実現が期待されている。
本研究では表面保護プロセスに着目し変換効率の向上を狙った。ALD-Al₂O₃で表面保護膜を形成し、同じサンプル構造の保護膜が無いものと変換効率を比較すると二倍程度の1.3%を示した。表面保護を行ったことでキャリアライフタイムが長くなったため特性改善につながったと考えられる。