[20p-H121-1~24] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-H121-22] 表面保護膜形成によるInGaN/GaN多重量子井戸構造太陽電池の高性能化に関する研究

〇加畑 智基¹、堤 達哉¹、森 拓磨¹、加藤 正史¹、三好 実人¹、江川 孝志¹ (1.名工大)

キーワード：窒化物太陽電池、表面保護膜、アルミナ

高効率の太陽電池としてGaN系太陽電池の実現が期待されている。
本研究では表面保護プロセスに着目し変換効率の向上を狙った。ALD-Al₂O₃で表面保護膜を形成し、同じサンプル構造の保護膜が無いものと変換効率を比較すると二倍程度の1.3%を示した。表面保護を行ったことでキャリアライフタイムが長くなったため特性改善につながったと考えられる。