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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-H121-1~24] 15.4 III-V族窒化物結晶

2016年3月20日(日) 13:15 〜 19:45 H121 (本館)

荒木努(立命館大)、船戸充(京大)、尾沼猛儀(工学院大)

13:45 〜 14:00

[20p-H121-3] SiC/GaNの界面構造とバンドオフセットとの関係の理論的検討

〇小嶋英嗣¹、遠藤賢太郎¹、白川裕規¹、洗平昌晃¹、海老原康裕²、金村高司²、恩田正一²、白石賢二¹ (1.名大、2.デンソー)

キーワード：SiC/GaN界面

　　　