[20p-H121-1~24] 15.4 III-V-group nitride crystals

[20p-H121-9] Observation of strain relaxation in MBE-grown nitride semiconductors by in situ synchrotron X-ray diffraction

〇Takuo Sasaki¹, Ryota Deki², Fumitaro Ishikawa³, Tomohiro Yamaguchi⁴, Masamitu Takahasi^1,2 (1.JAEA, 2.Univ. Hyogo, 3.Ehime Univ., 4.Kogakuin Univ.)

Keywords:Synchrotron radiation,X-ray diffraction,Molecular Beam Epitaxy

窒化物半導体は1993年の高輝度青色LEDが発表されて以降、比較的短時間で普及に至ったという経緯から、今なお、表面・界面、ひずみ、欠陥構造など未知な部分が取り残されたままである。我々はこれらの結晶成長の基礎を十分に理解することが、デバイスの極限性能を追求するためには重要と考え、高輝度放射光X線を利用した結晶成長その場測定システムを開発した。本研究は同システムを利用して最近得られた窒化物半導体薄膜のひずみ緩和観測と、臨界膜厚を推定した結果を報告する。