[20p-H121-1~24] 15.4 III-V族窒化物結晶

[20p-H121-9] その場放射光X線回折によるMBE成長窒化物半導体のひずみ緩和観測

〇佐々木 拓生¹、出来 亮太²、石川 史太郎³、山口 智広⁴、高橋 正光^1,2 (1.原子力機構、2.兵庫県立大、3.愛媛大、4.工学院大)

キーワード：放射光、X線回折、分子線エピタキシー

窒化物半導体は1993年の高輝度青色LEDが発表されて以降、比較的短時間で普及に至ったという経緯から、今なお、表面・界面、ひずみ、欠陥構造など未知な部分が取り残されたままである。我々はこれらの結晶成長の基礎を十分に理解することが、デバイスの極限性能を追求するためには重要と考え、高輝度放射光X線を利用した結晶成長その場測定システムを開発した。本研究は同システムを利用して最近得られた窒化物半導体薄膜のひずみ緩和観測と、臨界膜厚を推定した結果を報告する。