[20p-P13-1~14] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[20p-P13-11] Formation of polycrystalline BaSi₂ thin films by RF sputtering

Seiya Yokoyama¹, Masami Mesuda², Taketo Kuramochi², Kaoru Toko¹, 〇Takashi Suemasu¹ (1.Univ. Tsukuba, 2.Tosoh Corp.)

Keywords:semiconducting silicide,solar cell

BaSi2膜をスパッタ法で形成することができます。
従来のMBE法と比べて、堆積速度が1桁以上大きく、大面積化も可能です。