[20p-P13-1~14] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[20p-P13-11] RFスパッタリング法による多結晶BaSi₂薄膜の形成

横山 晟也¹、召田 雅実²、倉持 豪人²、都甲 薫¹、〇末益 崇¹ (1.筑波大院、2.東ソー株式会社)

キーワード：シリサイド半導体、太陽電池

BaSi2膜をスパッタ法で形成することができます。
従来のMBE法と比べて、堆積速度が1桁以上大きく、大面積化も可能です。