[20p-P8-1~6] 9.3 Nanoelectronics

[20p-P8-6] Room-temperature atomic layer deposition of zirconium oxide using plasma exited water vapor.

〇kentaro Tokoro¹, Kensaku Kanomata², Bashir Ahmmad², Shigeru Kubota², Fumihiko Hirise² (1.Yamagata Univ., 2.Yamagata Grad.)

Keywords:atomic layer deposition,plasma excited water vapor,zirconium oxide

酸化ジルコニウムはMOSFETの高誘電率ゲート絶縁膜として研究が進められている。一般に酸化ジルコニウムは熱原子層堆積法を用いて成膜されるが、我々はTEMAZとプラズマ励起された水蒸気を用いて室温での原子層堆積法を確立した。本方法により、熱に弱いフレキシブル材料への適用も可能になると考えられる。さらに酸化ジルコニウムの室温原子層堆積法を多重内部反射赤外吸収分光法によって評価し、成膜反応のモデル化を行った。