[20p-P8-1~6] 9.3 ナノエレクトロニクス

[20p-P8-6] プラズマ励起法を用いたZrO₂の室温原子層堆積

〇野老 健太郎¹、鹿又 健作²、有馬 ボシルアハンマド²、久保田 繁²、廣瀬 文彦² (1.山形大工、2.山形大院理工)

キーワード：原子層堆積法、プラズマ励起水蒸気、酸化ジルコニウム

酸化ジルコニウムはMOSFETの高誘電率ゲート絶縁膜として研究が進められている。一般に酸化ジルコニウムは熱原子層堆積法を用いて成膜されるが、我々はTEMAZとプラズマ励起された水蒸気を用いて室温での原子層堆積法を確立した。本方法により、熱に弱いフレキシブル材料への適用も可能になると考えられる。さらに酸化ジルコニウムの室温原子層堆積法を多重内部反射赤外吸収分光法によって評価し、成膜反応のモデル化を行った。