[20p-P9-1~22] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[20p-P9-15] SLS回数と成長温度の最適化によるInSb-HEMT構造の電気的特性向上

〇(M2)加藤 三四郎¹、宮下 愛理、藤川 紗千恵、藤代 博記 (1.東京理科大学大学院)

キーワード：InSb、SLS、HEMT

InSbはIII-V族化合物半導体の中で最も有効質量が小さいため、高い電子移動度と飽和電子速度を有する。そこで、InSbをチャネル材料に用いた高電子移動度トランジスタ(High Electron Mobility Transistor：HEMT)は高周波・低消費電力デバイスとして期待されている。基板に用いている半絶縁性GaAs基板とInSbは14.6％の大きな格子定数のため、貫通転位等の欠陥が問題となる。本研究はInSb HEMT構造の電気的特性向上を目的にバッファ層にSLS導入と成長温度の最適化を行ったので報告する。