[20p-P9-1~22] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [20p-P9-17] InGaAsSb/InP DHBTにおけるベースコンタクト抵抗低減化手法

〇星 拓也¹、柏尾 典秀²、白鳥 悠太¹、杉山 弘樹¹、栗島 賢二¹、井田 実¹、松崎 秀昭¹ (1.NTT先端集積デバイス研、2.NTTデバイスイノベーションセンタ)

キーワード：インジウムガリウムヒ素アンチモン、有機金属化学気相堆積、ダブルヘテロ接合バイポーラトランジスタ