[20p-P9-1~22] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[20p-P9-21] GaN表面CARE加工の反応メカニズムの第一原理計算による解析II -表面キンクサイト周辺のH₂O終端構造-

〇稲垣 耕司¹、Pho Van Bui¹、礒橋 藍¹、藤 大雪¹、森川 良忠¹、山内 和人¹ (1.阪大院工)

キーワード：CARE、触媒基準加工、GaN

GaN表面のCARE加工メカニズムを解明することを目的としてキンク表面モデルを作成した。OH終端GaN（Ga面）は、1/4のOHにHが付加しH₂O終端となっている。付加されたHは移動しやすく反応障壁低下に寄与する可能性が高い。表面H₂O終端を含むキンク表面構造を作成し、どの表面Ga原子をH₂Oで終端するか、キンクからの相対位置に対するエネルギーの依存性を明らかにした。