[20p-P9-1~22] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[20p-P9-4] プラズマCVD SiO₂/InAlN 界面へのAl₂O₃超薄膜層挿入の効果

〇(M1)清野 惇¹、長谷崎 泰斗¹、横田 直茂¹、赤澤 正道¹ (1.北大　量集センター)

キーワード：InAlN、界面準位密度

InAlNはGaNとの格子整合が可能で、HEMTのバリア層材料として研究が進められており、絶縁膜を導入しMOSゲートとすることでリーク電流の低減、さらには400GHzの遮断周波数が達成されている。代表的な絶縁膜であるAl₂O₃はInAlNと良好な特性を有する界面を形成するが、SiO₂はより大きな禁制帯幅を有する。本報告においては、デバイス作製プロセスの自由度を広げるために、一般に広く用いられているプラズマCVD法により形成したSiO₂/InAlN界面の特性を、極薄Al₂O₃層挿入により制御することを試みた結果を報告する。