[20p-P9-1~22] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[20p-P9-7] 大口径対向縦型MOCVD炉によるGaN/AlGaN/GaNへテロエピ成長

〇中村 文彦¹、平田 祥子¹、杉浦 浩¹、河合 弘治¹ (1.パウデック)

キーワード：半導体

GaN電子デバイス用に150mm, 200mmの大口径MOCVD装置を新規に開発した。この装置は基板が対向する配置の縦型炉である。この装置を用い150mmφｻﾌｧｲｱ基板上にAlGaN/GaNへテロ構造を作製した。AlGaN層の均一性は、Al組成；23.3% (σ；1.1%)、AlGaN膜厚；20.1±0.4nm。このときシート抵抗は、527ohm/sq (σ；2.63%) となり良好な均一性を示した。またGaNAlGaN/GaNへテロ構造を作製しFET特性も評価した。