[20p-P9-1~22] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[20p-P9-8] n-GaNに水素イオン注入で誘起されたトラップの評価

〇(M1)上田 聖悟¹、後藤 雅浩¹、高林 洸太¹、徳田 豊¹、塩島 謙次²、伊藤 成志³、八木 孝秀³ (1.愛知工大、2.福井大院、3.住重試験検査)

キーワード：水素イオン注入、GaN

水素が観測領域に含まれる条件で水素イオン注入を行い、誘起されるトラップの評価をDLTS、MCTS測定で行った。用いた試料はGaN基板上MOCVD n-GaN(Si濃度8.0x10¹⁶cm^-3)であり、水素イオン注入量は1.0x10¹⁰、1.0x10¹¹cm^-2である。注入後に新たに電子トラップE0(0.13eV)が観測された。注入量の増加で3.0x10¹⁵cm^-3から1.2x10¹⁶cm^-3とほぼ一桁のトラップの増加が確認された。注入前から存在する正孔トラップH1(0.86eV) 濃度は、2.4~2.9x10¹⁵cm^-3と大きな変化は見られなかった。