[20p-S011-9~20] 17.2 グラフェン

[20p-S011-10] SiC表面上のSi熱脱離グラフェン成長機構に関する第一原理分子動力学シミュレーション – 炭素鎖から二次元的構造の形成過程

〇小野 裕己^1,4、山崎 隆浩^2,4、奈良 純^2,4、大野 隆央^2,3,4 (1.高度情報、2.物材機構、3.東大生研、4.高効率電デバ)

キーワード：グラフェン、シリコンカーバイド、第一原理計算

Si熱脱離によってSiC表面上にグラフェンが得られる成長機構について、理論的解析を行っている。前回、PHASE/0を用いた大規模な第一原理分子動力学(MD)シミュレーションの結果に基づき、余剰C原子が炭素鎖構造を形成し、これがグラフェン状構造に成長するモデルを提案した。今回、さらに1500K～2000Kの温度範囲でいくつか状況を変えた長時間MDによってモデルの検証を行い、結果、再現性良く同様の平面グラファイトの成長機構が見られた。