[20p-S221-1~17] 13.3 絶縁膜技術

[20p-S221-4] 原子層堆積（ALD）温度を変えて形成したAl₂O₃膜の電気特性

〇平岩 篤¹、松村 大輔²、川原田 洋^1,2 (1.早大ナノライフ、2.早大理工)

キーワード：Al2O3、ゲート絶縁膜、ALD

ワイドバンドギャップ半導体素子のゲート絶縁膜用に、ALD-Al₂O₃膜の高信頼化技術を開発している。今回は、同膜の電気的絶縁性とALD温度との関係を検討し以下の結果を得た。MISFET性能を左右するSiO₂換算電界強度をそろえた比較において、AuゲートAl₂O₃膜のリーク電流はALD温度とともに減少するが200℃以上においてその効果が飽和する。しかし、ALD温度が高い程Al₂O₃膜の耐熱性が向上するので、Al₂O₃膜の形成には高温（450℃）ALDが最適である。