[20p-S221-1~17] 13.3 Insulator technology

△ [20p-S221-7] Large flatband voltage shift (>1 V) induced by the multiple dipole layers in Al₂O₃/SiO₂ repeated stacks

〇Hironobu Kamata¹, Koji Kita¹ (1.The Univ. of Tokyo)

Keywords:insulating film,High-k,dipole

一部の堆積ゲート絶縁膜では堆積膜/SiO₂界面にダイポール層が形成され​、フラットバンド電圧(V_fb)のシフトをもたらす。このようなダイポール層をつくる界面を繰り返し積層することでダイポール効果を重ね合わせることができれば、大きなV_fbシフトの制御が可能であると期待できる。そこで本研究では、複数のAl₂O₃/SiO₂界面を積層し、ダイポール層の重ね合わせによるMOSキャパシタのV_fbの大きなシフトを実証することを目的とした。