[20p-S221-1~17] 13.3 Insulator technology

△ [20p-S221-8] Improvement of leakage current properties for DRAM capacitors with ZrO₂/Al₂O₃/ZrO₂ stack structure

〇(B)Takashi Onaya^1,2, Toshihide Nabatame², Tomomi Sawada², Kazunori Kurishima^1,2, Akihiko Ohi², Toyohiro Chikyow², Atsushi Ogura¹ (1.Meiji Univ., 2.NIMS WPI-MANA)

Keywords:DRAM,ZrO2,ZrO2/Al2O3/ZrO2 stack structure

現在、DRAMキャパシタ絶縁膜としてk=20~47であるZrO₂層間にAl₂O₃層を挿入したZrO₂/Al₂O₃/ZrO₂ (ZAZ)のスタック構造が盛んに研究されている。本研究では、原子層堆積法で作製したZAZを絶縁膜としたTiN電極のMIMキャパシタを用いて、リーク電流特性の低減へ効果的なZrO₂及びAl₂O₃層の膜厚について検討した結果を報告する。