[20p-S221-1~17] 13.3 絶縁膜技術

△ [20p-S221-8] ZrO₂/Al₂O₃/ZrO₂スタック構造を用いたDRAMキャパシタにおけるリーク電流特性の改善

〇(B)女屋 崇^1,2、生田目 俊秀²、澤田 朋実²、栗島 一徳^1,2、大井 暁彦²、知京 豊裕²、小椋 厚志¹ (1.明治大学、2.物材機構 WPI-MANA)

キーワード：DRAM、ZrO2、ZrO2/Al2O3/ZrO2スタック構造

現在、DRAMキャパシタ絶縁膜としてk=20~47であるZrO₂層間にAl₂O₃層を挿入したZrO₂/Al₂O₃/ZrO₂ (ZAZ)のスタック構造が盛んに研究されている。本研究では、原子層堆積法で作製したZAZを絶縁膜としたTiN電極のMIMキャパシタを用いて、リーク電流特性の低減へ効果的なZrO₂及びAl₂O₃層の膜厚について検討した結果を報告する。