[20p-S222-1~17] 21.1 Joint Session K

[20p-S222-14] AP-MOCVD deposition of CuO thin films (2)

〇Kazuki Fujiwara¹, Mizuki Teramura¹, Kentaro Taguch¹, Kai Taniguch¹, Syungo Sakai¹, Hiroyasu Ishikawa^1,2 (1.Shibaura Inst., 2.SIT Center for GI)

Keywords:CuO,MOCVD

有機金属加熱炉および反応炉として横型管状炉2台を用いた常圧MOCVD装置によりCuOの堆積実験を行った。O₂ガスをキャリアガスと反応ガスを兼ねて使用したところ、堆積温度350℃で茶褐色の膜が基板全体に堆積した。XRDの結果から全ての温度においてCuO (002)のピークが最も強く観測され、次いでCuO (111)ピークが観測された。また、温度が高いほどピーク強度も高くなる傾向にあった。