[20p-S222-1~17] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[20p-S222-14] 常圧MOCVD法によるCuO薄膜の作製 (2)

〇藤原 一樹¹、寺村 瑞樹¹、田口 健太朗¹、谷口 凱¹、酒井 駿吾¹、石川 博康^1,2 (1.芝浦工大、2.SIT GI研究センター)

キーワード：CuO、有機金属気相成長

有機金属加熱炉および反応炉として横型管状炉2台を用いた常圧MOCVD装置によりCuOの堆積実験を行った。O₂ガスをキャリアガスと反応ガスを兼ねて使用したところ、堆積温度350℃で茶褐色の膜が基板全体に堆積した。XRDの結果から全ての温度においてCuO (002)のピークが最も強く観測され、次いでCuO (111)ピークが観測された。また、温度が高いほどピーク強度も高くなる傾向にあった。