[20p-S321-1~16] 3.13 Semiconductor optical devices

[20p-S321-12] Design of mid-infrared type-Ⅰ semiconductor laser using metamorphic growth

〇(B)Keita Yoshimoto¹, Yuga Imamura¹, Masakazu Arai¹ (1.Univ. of Miyazaki)

Keywords:metamorphic,laser,mid-infrared

メタモルフィック成長を用いて擬似的な基板上のヘテロ構造、バンドギャップ波長の見積もりを行った。今回はInAs基板上で格子定数をシフトさせた擬似的な基板を想定し、3ミクロン以上の波長帯域をどの程度カバーできるのかの見積もりと実験検討についての報告。