[20p-S321-1~16] 3.13 半導体光デバイス

[20p-S321-12] メタモルフィック成長を用いた中赤外帯域type-Ⅰ型レーザの構造検討

〇(B)吉元 圭太¹、今村 優雅¹、荒井 昌和¹ (1.宮崎大工)

キーワード：メタモルフィック、レーザ、中赤外

メタモルフィック成長を用いて擬似的な基板上のヘテロ構造、バンドギャップ波長の見積もりを行った。今回はInAs基板上で格子定数をシフトさせた擬似的な基板を想定し、3ミクロン以上の波長帯域をどの程度カバーできるのかの見積もりと実験検討についての報告。