[20p-S422-1~18] 13.5 デバイス／集積化技術

[20p-S422-1] スパッタMoS₂膜のフォーミングガス雰囲気ポストアニーリングによる電気特性向上

〇清水 淳一¹、大橋 匠¹、松浦 賢太朗¹、角嶋 邦之¹、筒井 一生¹、若林 整¹ (1.東工大)

キーワード：二硫化モリブデン、2次元半導体、スパッタ