[20p-S422-1~18] 13.5 デバイス／集積化技術

[20p-S422-15] p型トンネルトランジスタにおけるNBTI劣化の解析

〇水林 亘¹、森 貴洋¹、福田 浩一¹、石川 由紀¹、森田 行則¹、右田 真司¹、太田 裕之¹、柳 永勛¹、大内 真一¹、塚田 順一¹、山内 洋美¹、松川 貴¹、昌原 明植¹、遠藤 和彦¹ (1.産総研)

キーワード：トンネルトランジスタ、NBTI

本研究では、シミュレーションによりp型トンネルFETs（pTFETs）のNBTI劣化機構について評価・解析を行った。pTFETsのNBTIによるしきい値電圧（V_th）シフトは、バンド間トンネル（BTBT）領域に位置したトラップ電荷及び界面準位劣化により引き起こされることを明らかにした。一方、非BTBT領域におけるトラップ及び界面準位劣化は、V_thシフトにほとんど影響を及ぼさない。