[20p-S423-1~19] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

△ [20p-S423-1] 局所溶融液相成長による石英基板上単結晶GeSn層形成とトランジスタ応用

〇小山 真広¹、岡 博史¹、天本 隆史¹、冨永 幸平¹、田中 章吾¹、細井 卓治¹、志村 孝功¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工)

キーワード：ゲルマニウムスズ、薄膜トランジスタ