[20p-S423-1~19] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

△ [20p-S423-3] 薄膜poly-Geをチャネルに利用したガラス基板上の平面型自己整合メタルダブルゲート低温poly-Ge TFT

〇西村 勇哉¹、中島 拓哉¹、母里 誠¹、原 明人¹ (1.東北学院大工)

キーワード：半導体、薄膜トランジスタ、ゲルマニウム

薄膜poly-Ge(15 nm)を用いて平面型自己整合メタルダブルゲート(DG)ジャンクションレス( JL )p-ch 低温（LT）poly-Ge TFTをガラス基板上に形成した。このTFTは、トップゲート構造のLT poly-Ge TFT よりもon/off比が6倍優れ、低電圧で動作することを確認した。また、結晶化工程を除けばプラスチック基板に対応可能な300℃のプロセス工程で形成されていることも注目に値する。