[20p-S423-1~19] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[20p-S423-5] YSZ結晶化誘発層と2段階パルスレーザ照射法を用いた固相結晶化Si薄膜のTFT特性

〇堀田 將¹、マイ リアン¹ (1.北陸先端大マテリアル)

キーワード：薄膜トランジスタ、結晶化シリコン、レーザアニール

イットリア安定化ジルコニア(YSZ)の結晶化誘発 (CI)層上に堆積したPドープa-Si薄膜をYAGパルスレーザ2段階照射法により固相結晶化(SPC)させたSi薄膜のHall効果移動度は、CI-YSZ 層無しに比べて約2倍高く、不純物活性化率も高い。このSPC-Si薄膜のTFTを作製したところ、電界効果移動度が約80cm²/VsとYSZ-CI層無と比べて約2倍向上し、そのバラツキもほぼ半減した。