スパッタSi膜へのマルチショットELAとメタルソース・ドレイン構造TFT

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13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[20p-S423-1~19] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2016年3月20日(日) 13:45 〜 18:45 S423 (南4号館)

東清一郎(広島大)、原明人(東北学院大)

15:15 〜 15:30

〇原田大成¹、我喜屋風太¹、安次富卓哉¹、岡田竜弥¹、野口隆¹、野田勘治²、諏訪明^2,3、池上浩³、奥山哲雄⁴ (1.琉球大工、2.ギガフォトン、3.九州大シ、4.東洋紡)

キーワード：TFT、低温プロセス、エキシマレーザーアニール