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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[20p-S423-1~19] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

2016年3月20日(日) 13:45 〜 18:45 S423 (南4号館)

東清一郎(広島大)、原明人(東北学院大)

15:30 〜 15:45

[20p-S423-8] 低コストのCMOSを目指した金属ソース・ドレイン電極によるpチャネル型poly Si TFTの実現

〇原田大成¹、安次富卓哉¹、岡田竜弥¹、野口隆¹、西方靖²、太田淳² (1.琉球大学工、2.アルバック(株))

キーワード：p　チャネル多結晶シリコンTFT、青色半導体レーザー

　　　