[20p-S611-1~17] 16.3 シリコン系太陽電池

[20p-S611-2] Noncontact crucible methodにより成長したSiインゴット単結晶の転位分布評価

〇村井 良多¹、中嶋 一雄¹、小野 聖¹、金子 弦¹ (1.科学技術振興機構)

キーワード：太陽電池、シリコン、転位

NOC法により成長したSi結晶内の転位密度分布を調べた。その結果、結晶内にリング状の高転位密度領域が存在し、結晶成長と共にインゴット外周へ移動すること、転位密度は成長につれて減少することが明らかになった。結晶成長界面が成長方向に対して凸であることから、成長と共に転位が結晶外部に移動すると考えている。インゴット内部の転位密度は低いため、本手法は転位の少ないウェハーを作製する有効な手法であると考える。