[20p-S611-1~17] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[20p-S611-4] Effect of Oxide Precipitation by Annealing Process on Change in Carrier Lifetime of N-type CZ Silicon

〇Takuto Kojima¹, Ryota Suzuki¹, Atsushi Ogura¹, Tomihisa Tachibana², Yoshio Ohshita³, Eiichi Nishijima⁴, Isao Masada⁴, Shinji Iida⁴, Shoji Tachibana⁴ (1.Meiji Univ., 2.FREA, 3.Toyota Tech. Inst., 4.Tokuyama Corporation)

Keywords:Oxygen precipitation,Carrier lifetime,n-type CZ silicon

酸素濃度の異なる太陽電池用ｎ型CZシリコン基板に拡散工程，誘電体成膜工程を模した450，850，950°Cの熱処理を行ない，キャリア寿命と欠陥領域の変化を調べた．高酸素濃度の基板では950°Cでリング状に分布した酸素の析出が起こり，キャリア寿命は大きく劣化した．また850°Cでは炭素濃度の低いものはキャリア寿命が改善し，高いものでは劣化した．一方，低酸素濃度の基板はより高温でキャリア寿命が改善した．